Die AG Ionenstrahlphysik beschäftigt sich mit der Modifikation von Festkörpern und der Synthese von vergrabenen Nanostrukturen durch Ionenimplantation und Nachfolgeprozesse. Im Fokus stehen verschiedene III-V Halbleiter sowie oxidische Materialien mit großer Bandlücke, welche aufgrund ihrer hohen Transparenz für sichtbares Licht interessant für elektronische und optische Bauelemente sind. Hier erforschen wir insbesondere die Wirkung des nuklearen und elektronischen Energieverlustes der implantierten Ionen in den zumeist kristallinen Materialien. Ein weiterer Schwerpunkt der AG ist die Ionenstrahlanalyse - wie Rutherford-Weitwinkelstreuung leichter Ionen (RBS) und Kernrektionsanalyse (NRA) - zur Untersuchung von Struktur und Zusammensetzung ionenimplantierter und anderer dünner Schichten.
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